金屬一氧化物一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面金相分析顯微鏡
擴(kuò)散和器件結(jié)構(gòu)的關(guān)系是多方面的。首先，通過擴(kuò)散在集成電
路中提供有器件意義的區(qū)域，這些區(qū)域就是能得到晶體管、二極管
、電阻和比較復(fù)雜的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的p型區(qū)和n型區(qū)；雜質(zhì)擴(kuò)散的第二
個(gè)作用是在較復(fù)雜的集成電路中對(duì)半導(dǎo)體區(qū)域之間提供隔離；第三
個(gè)作用是通過專門的擴(kuò)散以達(dá)到改變某一區(qū)域的電導(dǎo)率(即集電極
區(qū)域埋層)和改變半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的復(fù)合(保護(hù)環(huán)擴(kuò)散)，以及用來制控
表面。在金屬一氧化物一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，雜質(zhì)分布會(huì)改變表面附近
反型層的類型和特性。較后，擴(kuò)散還可用作壽命控制，特別是在高
速數(shù)字集成電路中，引入諸如金之類的雜質(zhì)，就可降低材料載流子
的復(fù)合時(shí)間。既然在復(fù)雜的集成電路中，各種類型的擴(kuò)散可能出現(xiàn)
在任一器件內(nèi)，所以必須搞清楚一次擴(kuò)散對(duì)另一次擴(kuò)散的影響。這
一點(diǎn)有特別重要的意義。這種相互作用與其它相互作用的相互關(guān)系
，例如在加工半導(dǎo)體的同時(shí)所進(jìn)行的氧化，也必須予以考慮。
為了說明制造功能塊所使用的擴(kuò)散和氧化過程，現(xiàn)在討論一F
簡(jiǎn)單晶體管的加工工序。所用的硅片是p一型的，其電阻率為5歐姆
一厘米，厚度約為250微米。
