硅晶圓片的加工金屬氧化物檢測(cè)金相顯微鏡
首先是硅晶的生長(zhǎng)和硅晶圓片的加工，然后是單片雙極型或
金屬氧化物(MOS)器件的制備，主要是適用于標(biāo)準(zhǔn)集成電路的工藝
，如晶體管一晶體管邏輯電路(1TrL)、可編程門陣列(PGA)、微處
理器及專用集成電路(ASIC)。隨后討論一些信號(hào)的連接和器件封裝
技術(shù)，包括在單片電路制備工藝過程中的金屬化互連，以及印制電
路板(PCB)和混合電路的連接、封裝。有時(shí)，封裝工藝對(duì)微變送器
和MEMS有特別重要的意義。對(duì)標(biāo)準(zhǔn)集成電路來(lái)說，一般只需采用塑
料包封就可以了，塑料的工藝成本較低，同時(shí)又能起到防環(huán)境腐蝕
和抗機(jī)械應(yīng)力的雙重保護(hù)功能。但有些電路是用金屬殼密封的，封
裝內(nèi)部為電路創(chuàng)造了一個(gè)惰性氣體的環(huán)境，它可以保證器件在高工
作溫度下有較高的輸出功率。對(duì)有些微傳感器必須特別關(guān)注它的裝
配技術(shù)和封裝工藝，例如化學(xué)敏微傳感器中的離子敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管
(ISFET)，它必須工作于離子性溶液中(甚至河流、蓄水池中)，因
此需要保證它在相當(dāng)時(shí)期內(nèi)沒有可影響它工作的污垢產(chǎn)生。又如機(jī)
械微傳感器和大氣氣壓傳感器，它也需要能在一定環(huán)境條件下長(zhǎng)期
工作，所以在這里將有針對(duì)性地介紹一些不同的封裝技術(shù)。
針對(duì)硅單片電路的，因?yàn)闊o(wú)論是對(duì)集成電路，還是對(duì)微變送器
(這里用它作為對(duì)微傳感器、微執(zhí)行器的統(tǒng)稱)、智能傳感器和MEMS
來(lái)說，目前硅仍然是較重要的半導(dǎo)體材料。
