三相單層鋁電極結(jié)構(gòu)制造工藝樣品檢測金相顯微鏡
CCD的電極轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)
較早的CCD轉(zhuǎn)移電極是用金屬鋁制成的，隨著CCD技術(shù)迅速發(fā)展
，到目前為止，常見的CCD轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)已不下20種，但它們都必須滿
足使電荷定向轉(zhuǎn)移和相鄰勢阱耦合的基本要求。
三相CCD
若采用簡單的對稱電極，為了限定電荷轉(zhuǎn)移的方向，至少需要
三相。對于某一確定時刻存有電荷的一個勢阱來說，它的兩個相鄰
勢阱中只有一個處于高電壓，而另一個保持在低電壓，以保證電荷
轉(zhuǎn)移的方向是單一的。若有特殊需要，也可以添加幾相，不過，一
般來講，時鐘脈沖相數(shù)目都保持在較小。三相CCD一般有以下幾種
：
三相單層鋁電極結(jié)構(gòu)：它是在輕摻雜的硅襯底上先生成一層0
．1微米厚的氧化層，而后在氧化層上蒸發(fā)一層鋁，采用光刻或陰
影腐蝕技術(shù)形成寬為2～3微米的空隙。這種結(jié)構(gòu)雖然制造工藝簡單
，但有一個明顯的缺點，即電極間隙處氧化物直接裸露在周圍環(huán)境
中，使得表面勢不穩(wěn)定，影響轉(zhuǎn)移效率．因此這種結(jié)構(gòu)很少在實用
器件中被采用。
三相電阻海結(jié)構(gòu)：為了封閉電極結(jié)構(gòu)，克服周圍環(huán)境的影響，
采取的方法之一是引用硅柵結(jié)構(gòu)。在氧化層上淀積一層連續(xù)的高阻
多晶硅，然后對電極區(qū)域進(jìn)行選擇摻雜，形成高阻與低阻相問的三
相電極圖案。電極問互連和焊接區(qū)采用蒸發(fā)鋁來實現(xiàn)。這種結(jié)構(gòu)成
品率高，性能穩(wěn)定，不易受到環(huán)境溫度的影響，它的缺點是尺寸較
大，僅用于小型陣列器件。
三相交疊硅柵結(jié)構(gòu)：三相交疊硅柵結(jié)構(gòu)是常用的三相交疊電極
結(jié)構(gòu)形式。它既可使得電極間隙極窄，又能得到封閉的電極結(jié)構(gòu)j
三相交疊電極可以是多晶硅，也可以用金屬鋁，或者二種混用。先
在硅表面生成一層高質(zhì)量的氧化物，然后沉淀二氧化硅和一層多晶
硅，在多晶硅上刻出第一組電極；再進(jìn)行熱氧化，形成一層氧化物
，而后沉淀多晶硅摻雜，并刻出第二組電極，以此類推，做出三相
電極。這是一種被廣泛采用的結(jié)構(gòu)，主要問題是制造工序較多，而
且必須防止層問短路。
