集成電路生產(chǎn)工藝光刻精細加工檢測顯微鏡
基本工藝過程
集成電路的生產(chǎn)過程僅由相對較少的幾個基本步驟組成。但這些
步驟可以在整個集成電路的生產(chǎn)中單獨使用或幾步組合后多次重復(fù)
使用。各單獨的步驟如下：薄膜沉積；光刻(薄膜圖形)；表面改性
(氧化，摻雜)；濁刻(薄膜去除)；
當(dāng)集成電路制造于一個晶片上后，晶片被切成很多芯片。接下
來的過程可以用一個術(shù)語“封裝技術(shù)”來定義，并帶有下列副標(biāo)題
：切片(把晶片切成芯片)；連接(芯片之間的電接觸)；裝外殼(集
成零件于系統(tǒng)中，封殼)。
薄膜沉積
薄膜沉積是較重要的過程，尤其與硅技術(shù)相關(guān)的過程將在下面
作簡要的介紹。薄膜沉積對微型機構(gòu)的影響將在第4章中洋細介紹
。
制作涂層
通常制作涂層的第一步是用光敏聚合物層覆蓋晶片。聚合物層
借助于掩模進行曝光，然后顯影。由于曝光改變了聚合物的溶解度
，所以已曝光的區(qū)域可以在接下來的顯影過程中被一些顯影劑選擇
性地去除，掩模上所帶有的結(jié)構(gòu)信息可轉(zhuǎn)換到聚合物薄膜上。在進
行顯影和加熱后，聚合物層可以充當(dāng)模板，粘接到晶片表面上，聚
合物層可以阻止接下來的加工如蝕刻、摻雜或其他處理。因此，這
一聚合物層被稱作抗蝕劑或光刻膠。
化學(xué)氣相沉積(CVD)
較通用和較重要的涂層沉積技術(shù)是氣相化學(xué)沉積。這種方法的
變異是低壓化學(xué)氣相沉積LPCVD和離子增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)PECVD
。
硅片盤可以被加熱到1200℃
CVD方法的基本過程是把熱態(tài)不穩(wěn)定的氣相化合物冷凝并沉積
到基體上。反應(yīng)物分子裂解的臨界能量既可以由加熱的基體也可以
由氣體放電的光能或電能供應(yīng)。
