微電子學(xué)蝕刻-硅微結(jié)構(gòu)裝精密檢測(cè)顯微鏡
由于具有較小的粒子自由路徑，所以不可能進(jìn)行具有方向性
的傳輸過程。在微電子學(xué)中僅起著第二位重要作用的特殊方法是濕
式化學(xué)各向異性蝕刻方法。由堿性浸蝕劑去除硅的速率取決于被蝕
刻晶體的晶向，濕式化學(xué)各向異性蝕刻方法構(gòu)成了制造硅微機(jī)構(gòu)的
基礎(chǔ)
上述提到的蝕刻方法可以按照各向異性和材料的選擇性程度進(jìn)
行分類，主要過程如下，
·等離子蝕刻和圓桶狀蝕刻 蝕刻的作用主要是阻止活性物質(zhì)
的化學(xué)反應(yīng)如由等離子放電形成的酸根。由于相對(duì)較高的工作壓力
，蝕刻過程具有較大的各向同性。通過選擇適當(dāng)?shù)乃岣�，蝕刻過程
也可以變得具有高的選擇性。
·活性離子蝕刻(RIE) 這是一個(gè)物理和化學(xué)過程的組合。在
稀釋的離子束中，高能活性物質(zhì)的定向移動(dòng)可以通過加速電壓維持
在蝕刻表面的正確角度。
·濺射蝕刻或離子銑削 這被認(rèn)為是一個(gè)單純的物理過程�；�
學(xué)惰性的離子如稀有氣體的離子，在電場(chǎng)的作用下可以在離子束中
產(chǎn)生并被加速到基體而產(chǎn)生物理濺射。
這些過程包括了蝕刻特性的整個(gè)范圍，離子蝕刻是各向同性的
。但也可以變成具有大的選擇性，另一方面濺射蝕刻可以通過減少
選擇性而變得強(qiáng)烈地各向異性。而活性離子蝕刻(RIE)是介于中等
各向異性和絕對(duì)選擇性之間的一種方法。
封裝技術(shù)
在所有制造系統(tǒng)和系統(tǒng)分組內(nèi)通過把不同技術(shù)的構(gòu)件集成于一
個(gè)基體或一個(gè)殼內(nèi)的技術(shù)，總結(jié)為一個(gè)“術(shù)語”——封裝技術(shù)。在
這一技術(shù)下，按照芯片—、線—、反轉(zhuǎn)—芯片—、TAB-連接、封殼
技術(shù)和PCB(印刷電路板)技術(shù)等進(jìn)行了分類。
