樣本比較分析-裝配級失效的檢測顯微鏡

EOS失效分析——傅里葉變換紅外光譜儀
    傅里葉變換紅外(FTIR)光譜是一種有損失效分析技術(shù)，可用于
評估有機(jī)污染。有機(jī)污染導(dǎo)致的EOS可以引起高電阻短路。在傅里
葉變換光譜中，采用測量技術(shù)收集發(fā)射光譜。發(fā)射光譜的收集是基
于對相干輻射源的測量。輻射源發(fā)射的收集就是采用電磁輻射或其
他類型輻射的時(shí)域或空間域測量。在這種技術(shù)中，傅里葉變換就是
將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成發(fā)射光譜。
    FTIR光譜法用于在裝配級失效的檢測。較好對失效位置和未失
效位置或者失效樣品和未失效樣品行進(jìn)對比分析。通過這種方式，
不應(yīng)該存在的有機(jī)物質(zhì)可以與原本就有的有機(jī)物質(zhì)分離。這種方法
對辨別究竟是EOS、EOV、EOC或EOP在失效中的起作用是很有價(jià)值的
。
    EOS失效分析——離子色譜法
    離子交換色譜法是用來評估裝配級和電路板級失效是否與污染
物或基于離子間的失效有關(guān)，也被稱為離子色譜法(IC)[6I。離子
交換色譜是一個(gè)根據(jù)離子和極性分子的電荷來讓它們分離的過程。
該方法用于確定該失效是否是高電阻短路機(jī)制導(dǎo)致的表面?zhèn)鲗?dǎo)相關(guān)
的失效。離子污染會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)電氣失效特征，這通常被認(rèn)為與EOS
有關(guān)；這是一個(gè)排除EOS事件電阻短路的好方法。這種方法通常不
會(huì)用來進(jìn)行器件或ESD分析。
    評估電氣失效，重要的是要有一個(gè)可控樣本進(jìn)行比較分析。這
樣，“好”樣品的離子水平可以與“失效”樣品進(jìn)行比較�？梢栽�
可能出現(xiàn)電氣特征的局部區(qū)域或整個(gè)表面(比如，整體污染)對印制
電路板的失效特征進(jìn)行評估。如果發(fā)現(xiàn)“壞”標(biāo)本是全局污染并且
檢測到電阻，就可以排除這不會(huì)是EOS事件。如果失效是局部的并
且評估顯示有絲狀物形成、尖峰、電介質(zhì)破裂和離子污染，那么有
可能是過電流、過電壓或過電應(yīng)力造成的。

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