晶體結(jié)構(gòu)失效分析的電子顯微鏡-電子元件檢測
EoS失效分析——透射電子顯微鏡
透射電子顯微鏡(TEM)是一個(gè)用于ESD失效分析的電子顯微鏡工
具一。TEM技術(shù)利用電子束轟擊薄膜樣品。與SEM使用散射電子不
同，TEM中電子會(huì)穿透樣品。樣品必須非常薄以允許電子束的傳輸
。TEM圖像是電子通過樣品并放大，然后聚焦在物鏡上形成的，圖
像出現(xiàn)在成像屏上。成像電子、顯示器、膠片、傳感器或CCD相機(jī)
用來存儲(chǔ)圖像。因?yàn)闃悠分苽涞睦щy，TEM分析是耗時(shí)而且困難的
；盡管困難，TEM還是用來評(píng)估ESD事件后材料性能的變化。例如，
互連薄膜和硅化薄膜的TEM分析展示了ESD應(yīng)力后晶體結(jié)構(gòu)的變化。
EOS失效分析——電壓對(duì)比工具
有源電壓對(duì)比(AVC)技術(shù)可以用來評(píng)估與“開路”和“短路”
相關(guān)的EOS失效機(jī)制。對(duì)于大型結(jié)構(gòu)、鏈路和復(fù)雜互連，無源電壓
對(duì)比(PVC)的作用很有限。AVC技術(shù)的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是對(duì)比的提升，對(duì)較
大的缺陷和復(fù)雜電路的開路、短路或結(jié)構(gòu)缺陷之間的區(qū)別更清晰。
